| 看来沈博士不把季灏逼死是不会罢休的。 |
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jqsphy： 客观情况是复杂的，目前没有人能够在季灏实验数据出来之前算得出与实验数据基本相符的结果。季灏能够发现这个问题提出来让大家研究，就是一大成果。就像提出哥德巴赫猜想的哥德巴赫那样为科学做出了杰出的贡献。当然，如果你能够算得出，你就是老大。希望你能够早日提出解释季灏实验的无可置疑的理论。 |
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沈其建的计算存在严重错误，包括基本概念错误和数值计算错误：
1.他用来计算球形导体电容的公式少了一个4pai,因此球体静电能应当是5.6焦耳，而不是他说的71焦耳，少了12.56倍。球体表面电压也小了12.56倍，是2.98*10^(6)伏，而不是他说的三千万伏。 2.球体表面带2.36*10^(13)个电子后，再往球体加一个电子，该电子与整个球体电荷的相互作用能是Q*e/(4*pai*ε*r)。取r=0.01米,相互作用能也只有5.54*10^(-13)焦耳，比近光速电子的能量10*^(-11)焦耳小很多。 3.球表面电荷与外加电子的相互作用力太小，不足以对近光速电子的轨道产生大影响。实际情况是，不等静电作用力产生的加速度影响电子运动，电子早就进入铅体，根本来不及散射。请沈建其自己做一个细致的计算，在没有得到精确数值之前，不要在这里胡说八道！ 4.电子进入导体内后分布到表面消耗的不是电子的动能，而是静电力作功。一个电子在导体内可以停留在任何地方，第二个电子进入导体后，由于存在静电斥力，两个电子就要运动到表面。是静电力作功使导体电势能升高！因此不管导体表面电势多高，与入射电子的动能无关，不需要电子的动能转化成电势能。将导体接地，电子的流失也不影响季灏的量热实验。 沈其建是金庸小说中那种思维混乱，纠缠不清的桃谷六仙式人物，与他较劲只是在浪费诸位的时间精力。61楼说什么沈其建要把季灏逼死，我看算了吧。 |
| 季灏的原文是：本实验利用直线加速器束流输出，能量和束流强度由仪表控制，实验中流强为1.26A，能量分别为15Mev、12Mev、10Mev、8Mev、6Mev，1.6Mev六个能量段，脉冲宽为5ns，频率为5Hz，电子束轰击铅靶120s，这样靶接收到电荷总量为3.78×10-6（库），接收到电子总数为2.36×1013（个），根据相对论15Mev每个电子的能量相当15×1.6×10-6×10-7焦耳，则实验中2.36×1013（个）电子的总能量为：Ek=15×1.6×10-6×10-7×2.36×1013=56.64焦耳这与沈建安其核实计算过的,他引用的范先生的数据完全一样。沈建其算出的静电自能是：静电自能为E=Q^2/(2C)=Q^2/(2εR)=（3.78×10^ (-6)）^2/(2*8.85*10^(-12)* 0.0115)=71焦耳。静电自能比总能还大，沈建其不会不知道违反能量守恒必错，可他还是帖出来争论了60多帖，难怪梅曉春会说他是胡说八道。 |
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对【63楼】说： 2.球体表面带2.36*10^(13)个电子后，再往球体加一个电子，该电子与整个球体电荷的相互作用能是Q*e/(4*pai*ε*r)。取r=0.01米,相互作用能也只有5.54*10^(-13)焦耳，比近光速电子的能量10*^(-11)焦耳小很多。 这个算法可能有问题。 |
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对【63楼】说： 对【63楼】说： 2.球体表面带2.36*10^(13)个电子后，再往球体加一个电子，该电子与整个球体电荷的相互作用能是Q*e/(4*pai*ε*r)。取r=0.01米,相互作用能也只有5.54*10^(-13)焦耳，比近光速电子的能量10*^(-11)焦耳小很多。 一个电子从0电位到达2.98*10^(6)伏电位，其电势能增加应为2.98*10^(6)电子伏特，约为4.8*10^(-13)焦耳， |
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对【65楼】说： 我说的是相互作用能，计算没有错。按电磁场理论，球状电荷分布对球外空间电荷作用时，可以看成所有的电荷都集中在球心。因此问题就等于一个电子与其他电子都集中在球心时的相互作用能，它们之间的距离就是球的半径。通过相互作用能可以得到相互作用力，算出对一个电子的加速度。近光速电子从10厘米外到达球体的时间非常短，带电球体的力在这段时间内对电子产生的位移非常小，根本不可能造成大的散射。这是一个非常初等的计算问题，沈建其却把它搞得如此复杂，真是莫名其妙。一个大学物理系教授连这样的初等问题都搞不清楚，什么智商？什么水平！我在网上从来不骂人，除了这个沈建其教授，他的表现真让人受不了。 |
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沈先生：我在电子邮件中给你说了你没有回答所以放到网上大家讨论。1，请你请教你们学校物理系教授，孤立金属球导体和金属球电容的静电能量是不一样的。应该小12.56倍。（因为我公式不会打）所以即使有动能造成也只有5.6焦尔，2，请看贝托齐的文章，他的铝盘形状和我的几乎一样，他积累7.6乘10的负8次方个电子，它的电压是1V.如果用你的公式计算相差很远。3，如szshanshan 说的按照你的计算损失的能量就大于入射电子的能量。而且不管是15Mev,6Mev电子损失的能量是一样的。
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梅先生43楼所说的“一个电子在导体内可以停留在任何地方，第二个电子进入导体后，由于存在静电斥力，两个电子就要运动到表面。是静电力作功使导体电势能升高！因此不管导体表面电势多高，与入射电子的动能无关，不需要电子的动能转化成电势能”里面存在几个错误。第一个错误：既然大量电子能先后进入导体，说明后来的电子要克服已经存在的静电场提供的静电力，何来“与入射电子的动能无关，不需要电子的动能转化成电势能”？？ 第二个错误： 梅的话“由于存在静电斥力，两个电子就要运动到表面”是对的，但由这句话引出来的结论“是静电力作功使导体电势能升高”却是错的。举一个例子：如果n个电子重合在一起，位于球心，那么它们在球表面的电势是a伏特；现在把它们均匀分布在球表面，球表面电势可能不变或者还要下降，总之不会升高。 第三个错误：由于“存在静电斥力，两个电子就要运动到表面”，那么说明是电子（及导体）的静电势能要往电子动能转化，为何还导致梅所谓的“是静电力作功使导体电势能升高”？？ 所以真正的答案是：导体电势能的提高，乃是因为电子积聚，但电子不会无缘无故积聚，必须依靠消耗自己的动能，转化为静电势能。（至于进入导体之后电子之间如何彼此作用的细节，其实与最终计算无关。梅先生在43楼把这个作用细节当做核心，实在空穴来风，无源之水） 至于梅先生68楼，梅先生的“因此问题就等于一个电子与其他电子都集中在球心时的相互作用能，它们之间的距离就是球的半径。通过相互作用能可以得到相互作用力，算出对一个电子的加速度”倒说对了。但梅先生自己没有计算。你倒算算看，2.36乘10的12次方的电子数目积聚在半径为1厘米的铅球上，静电势能到底是多少？分配给每个电子的势能是多少？告诉你是10MeV量级。梅需要计算，而不是猜测。
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季灏先生：你69楼的提问方式我表示赞赏。就物理，谈物理，具体问题具体讨论。
至于那个4*pi问题，我在一开始把它忽略掉。因为这本质上是一个电容器，没有4*pi，才是对的. 如果按照带电小球，并且用库仑定律来算，其实只是一个很粗糙的估算（即梅先生68楼做法与本人主楼的第二种计算法，都是估算，不能以这个有4*pi的计算式子为准，应该以电容器计算为准）。严格地说，你真的要按照“带电小球”来计算，这是一个《电磁学》的习题，是带电球壳习题（球内是匀强电场，表面带电，计算电势），可以参看习题答案，不能直接套用库伦定律（如果是估算，可以）。所以，4*pi是没有的。主楼以电容器来算，才是对的。 |
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对【69楼】说： 1， 2，请看贝托齐的文章，他的铝盘形状和我的几乎一样，他积累7.6乘10的负8次方个电子，它的电压是1V.如果用你的公式计算相差很远。 沈回复季先生：我在主楼已经回答了你的问题。贝托齐没有“积累7.6乘10的负8次方个电子”。 他有一个放电措施。见我的主楼里面的话：“在贝托齐实验中，根据季先生寄来的贝托齐论文翻译，里面提到（英文中也可以看到）：“流入铝盘的电子束流向一个电容器充电。当充电电压升值到1伏特左右时一个继电器就动作，释放掉电容器的电荷，同时电容器每一次放电都被记录在一个寄存器上”。所以，在贝托齐实验中，接受电子的铝盘老是在放电（流入铝盘的电子束流向一个电容器充电），因此铝盘电压不再巨幅升高，因此后来的高能电子为了集聚到铝盘上，就不需要克服什么电势差，也就几乎没有静电自能，高能电子的动能主要被用来使得铝盘增温。所以，贝托齐实验很成功（他的量热误差，理论和实验相差10%）。” |
| 梅先生参与进来，这很好，至少有一个来亲自核对和计算的人了。总比我在那里自说自话好（这样能提高我的观点的可信度）。梅先生提出4*pi问题，很好。我原先计算出来的数据的确偏大（当然我也喜好这偏大的数据，因为这对我有利）。通过辩论，我们可以得到更好的合理数据。现在经过梅先生的计算，已经说明：对于8MeV的电子，其有一半动能要克服静电斥力才能到达球上。 |
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对【65楼】说： 梅的“比近光速电子的能量10*^(-11)焦耳小很多”要改为“比近光速电子的能量10*^(-12)焦耳小很多”。季灏电子能量是MeV量级（即12Mev、10Mev、8Mev、6Mev，1.6Mev），我们就以中间数据8Mev为例，1eV为1.6*10^（-19）焦耳，那么8Mev就等于1.28*10^（-12）焦耳 |
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至于梅先生63楼第四个问题，纯属于他的低级错误，是43楼错误的延续，我在前面70楼已经批驳了。 |
| 总之，季先生69楼三个问题，其答案全部可以在我主楼上找到。 |
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对【69楼】说： 1， 3，如szshanshan 说的按照你的计算损失的能量就大于入射电子的能量。而且不管是15Mev,6Mev电子损失的能量是一样的。 SHEN RE: 这个问题是梅先生先提的吧（他说我算出来的71焦耳大于电子能量）。如果姗姗再提，那么姗姗同样幼稚。其实这个问题我在主楼两次说明。我在47楼也已经回答梅先生，谁知姗姗还要再提？！我在主楼中的计算是以球形电容器为例计算。我们知道，同样体积的金属，球形的表面积最小，因此也就是说，球形具有最大的“汇聚”能力，电子分布在金属表面上后，电子之间的平均距离显得最小，因此静电势能最大。如果你把这些金属做成其他形状（铅台），我的球形估算比起铅台来会偏高一点，但也最多偏高一两倍。 下面顺便把我47楼回答梅先生的话送给姗姗： SHEN RE: 这个问题问得实在幼稚（且我也知道某个幼稚的人一定会问）。我在主楼上明确说明，我的计算模型是以球形电容器为例，虽然季灏的铅台看起来像一个台柱，不是球形，但无论球形，还是台柱，对于电容器的电容数量级计算并不影响（顶多相差一两倍这么一个因子）。所以，利用球形电容器计算，会过高。无论计算出来的是71焦耳，还是20焦耳，都不影响我的主楼观点。以上意见我在主楼两次说明，就是为了避免这些幼稚问题的出现。但这类问题还是出现了。 |
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对【64楼】说： 把我47楼回答梅先生的话送给姗姗. |
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现在，由于8Mev就等于1.28*10^（-12）焦耳，不是梅先生那样的10*^(-11)焦耳，所以梅先生63楼第三个问题我不必回答了。答案就是电子的能量要减少一半（克服静电力做功）才可以聚集到铅台上。
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几个帖子贴不上去，只贴要点了：
--------- 现在，由于8Mev就等于1.28*10^（-12）焦耳，不是梅先生那样的10*^(-11)焦耳，所以梅先生63楼第三个问题我不必回答了。答案就是电子的能量要减少一半（克服静电力做功）才可以聚集到铅台上。 至于梅先生63楼第四个问题，纯属于他的低级错误，是43楼错误的延续，我在前面70楼已经批驳了。 |
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2.球体表面带2.36*10^(13)个电子后，再往球体加一个电子，该电子与整个球体电荷的相互作用能是Q*e/(4*pai*ε*r)。取r=0.01米,相互作用能也只有5.54*10^(-13)焦耳，比近光速电子的能量10*^(-11)焦耳小很多。
---------------------------------------------------------- 沈回复梅先生63楼的第二个问题： 季灏电子能量是MeV量级（即他的实验电子能量是12Mev、10Mev、8Mev、6Mev，1.6Mev），我们就以中间数据8Mev为例，1eV为1.6*10^（-19）焦耳，那么8Mev就等于1.28*10^（-12）焦耳，为你计算的静电势能（5.54*10^(-13)焦耳）的两倍，也即有一半能量要用来转化为静电势能。我的观点仍旧没有错（我主楼的意思就是指有相当高比例的电子动能最后转化为静电势能，这个因素不可忽略。即使按照你的考虑4*pi因素的做法，也是同样结果）。 现在，由于8Mev就等于1.28*10^（-12）焦耳，不是梅先生那样的10*^(-11)焦耳（这必须是80MeV电子能量），所以梅先生63楼第三个问题我不必回答了。答案就是电子的能量要减少一半（克服静电力做功）才可以聚集到铅台上。 至于梅先生第四个问题，纯属于他的低级错误，是43楼错误的延续，我在前面70楼已经批驳了。 |
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季灏电子能量是MeV量级（即12Mev、10Mev、8Mev、6Mev，1.6Mev），我们就以中间数据8Mev为例，1eV为1.6*10^（-19）焦耳，那么8Mev就等于1.28*10^（-12）焦耳，为你计算的静电势能（5.54*10^(-13)焦耳）的两倍，也即有一半能量要用来转化为静电势能。我的观点仍旧没有错（我主楼的意思就是指有相当高比例的电子动能最后转化为静电势能，这个因素不可忽略。即使按照你的考虑4*pi因素的做法，也是同样结果）。
现在，由于8Mev就等于1.28*10^（-12）焦耳，不是梅先生那样的10*^(-11)焦耳，所以梅先生63楼第三个问题我不必回答了。答案就是电子的能量要减少一半（克服静电力做功）才可以聚集到铅台上。 |
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对【63楼】说： 2.球体表面带2.36*10^(13)个电子后，再往球体加一个电子，该电子与整个球体电荷的相互作用能是Q*e/(4*pai*ε*r)。取r=0.01米,相互作用能也只有5.54*10^(-13)焦耳，比近光速电子的能量10*^(-11)焦耳小很多。
沈回复： 季灏电子能量是MeV量级（即12Mev、10Mev、8Mev、6Mev，1.6Mev），我们就以中间数据8Mev为例，1eV为1.6*10^（-19）焦耳，那么8Mev就等于1.28*10^（-12）焦耳，为你计算的静电势能（5.54*10^(-13)焦耳）的两倍，也即有一半能量要用来转化为静电势能。我的观点仍旧没有错（我主楼的意思就是指有相当高比例的电子动能最后转化为静电势能，这个因素不可忽略。即使按照你的考虑4*pi因素的做法，也是同样结果）。 现在，由于8Mev就等于1.28*10^（-12）焦耳，不是梅先生那样的10*^(-11)焦耳，所以梅先生63楼第三个问题我不必回答了。答案就是电子的能量要减少一半（克服静电力做功）才可以聚集到铅台上。 至于梅先生第四个问题，纯属于他的低级错误，是43楼错误的延续，我在前面70楼已经批驳了。 |
| 沈先生：1，请看郭的57页，或复旦大学物理学中148页。孤立金属球导体和金属球电容的静电能量是不一样的。应该小12.56倍。2，辐射损失用你的理论我实验中的4Mev的半径比11cm小，怎么也是18cm.3,用你的公式计算世界上高能加速器的电子辐射损失。 |
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沈其建教授：
假设初始时一个导体球表面带电不均匀，导体表面上电荷静止。过不久电荷分布会自动均匀。请问这个过程需要消耗电荷的动能吗？ 显然不需要，是电场力做功使电荷运动，达到均匀分布。开始时导体表面电荷是静止的，根本没有动能。也就是说只要使电荷到达导体球表面，即便电荷静止，也可以自动形成等势体分布。 其次，为了使电荷到达带电导体球表面，需要克服电场力做功。假设该电荷初始时离球心10 厘米，到达球表面时距离球心1.15厘米。假设导体球表面已经有2.36*10^(13)个电子，再往球上添加一个电子，该电子克服电场力需要耗功4.16*10^(-13)焦耳。15MeV 电子的动能是24*10^(-13)焦耳，因此大约还有20*10^(-13)焦耳的热囤积在导体球内。况且电荷从零开始积累，开始阶段不需要消耗太大的能量来克服电场力。因此在建立电场的整个过程中消耗的能量不到电子总动能的五分之一，季灏实验的结论没有错。计算用15MeV的电子误差最大，最能说明问题。 |
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对【78楼】说： 答沈建其博士：1， 孤立球的电容为C = 4πε0R，你用错了公式将电容算小一个数量级；2， 非孤立球例如铅球R1外面还有一个球R2（量热法实验外壳）C = 4πε0R1 R2/（R2-R1），由于R2/（R2-R1）大于1，电容又算小了；3， 非真空的电容要在真空介电系数ε0再乘一个大于1的相对介电系数εr， 特别是将铅台与底座隔离的绝缘介质不可能很厚，εr又远大于1的话，电容更会算小很多。因为你算出的电容值比实际值小了很多，导致你算出静电能比总能还大。你不反省一下自己错在即里，还得意洋洋地说别人幼稚。 |
| 贝托齐和季灏的量热法实验的理论根据是入射电子的动能几乎全部能转变成热能致使靶升温。这个量热法理论是违反1751年由牛顿力学推导出柯尼希(Sam. Koenigio)定理的。我早就说了，连基本的牛顿力学都违反还能成功吗?已经在本论坛辩论了很长时间。量热法实验的本质是核物理实验的打静止靶。若是大家忘了或不太熟习柯尼希定理，但对撞机总该知道吧。由于打静止靶的效率只有约25%（由柯尼希定理打静止靶的粒子的动能只有约1/4能转换成非机械能），从而发明了对撞机，它把不能转換的质心动能减到近似为零，从而大大提高了效率。 |
| szshanshan 先生：您好！1，首先说一下以前说我在磁场中v(dm/dt)=0是错的离谱的。如果要看证明我已经给陈教授。2，88楼你是对的。89楼量热法理论不是贝托齐创造的也不是我的发明，3，沉积二字是现在高能物理理论的词汇。我的方法是根据高能实验物理设计的。 |