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| 沈先生：我认为szshanshan先生讲得对。因为如果用你说的R2远大于R1， 所以R2/（R2-R1）就很接近于1.这样还是电容为C = 4πε0R，你的金属作为一种离子的等离子体，相对介电系数一般总是小于1。你对电容的概念搞错误了。实际上 孤立球的静电能很多书上都直接计算。和电容为C = 4πε0R完全一样。 |
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季先生，如果是“孤立球的静电能”，那么必须要使用它的介电系数来计算。
除非是作为一个习题中的简单模型，那么直接用真空介电系数。但如果是实际的情形，必须要使用金属本身的介电系数，这是没有什么好争论的。 至于姗姗第二条（关于R2半径）就没有什么帮助，因为：R2远大于R1， 所以姗姗的R2/（R2-R1）就很接近于1.这样还是电容为C = 4πε0R。姗姗想通过使用R2/（R2-R1）这个因子来降低静电能，无法办到。 |
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二金属平行 电容器，内部大部分空间为真空，当然用真空介电系数。
金属电容器，内部为金属材质，要用材质介电系数，除非你是金属球壳电容器。 |
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对【8楼】说： 金属的介电系数,是有的，只不过它是频率的函数。书上有不少金属的介电系数，只是其也有虚部，对虚部如何处理，是一个麻烦。 |
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对【3楼】说： SHEN RE: 与“隔离的绝缘介质”无关。只要考虑金属的介电系数即可。 szshanshan Re：沈博士，电容怎么与隔离两金属的绝缘介质无关呢?这是一个典型平板电容，介质的介电系数比空气的大很多，此平板电容使得真空外壳与铅台靶的距离大大减小（计算电容两板间距离要算最小距离）。而且静电极化主要发生在此介质上。介质与铅靶接触的表面产生大量的正电荷抵消铅靶上的电子的负电荷的对外作用。介质与金属底版的接触面则产生大量的极化负电荷,使金属外壳上因静电极化有大量的正电荷。它们大量地抵消铅靶上的负电荷的作用。这正是qapin说的静电极化使铅靶的等效电荷大大减小。季先生将实验用绝缘介质的面积、厚度和所用材料公布出来，一算就清楚了。 |
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对【11楼】说： 很好处理。虚部转化为热能，实部转化为静电能。介电系数实部小于1，故而静电能比上面你们几位算的要大。因此，静电能可能占据了电子能量的主要部分。
此外，热电偶在高电压下失效，我认为一定要考虑。高压使得热电偶材质电离或者极化，一定影响了热电偶温度计相关参数。 |
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对【15楼】说： 姗姗想问的是，一个绝缘支架与一个金属体连接在一起，有多少电容吗？？
无论多么大，于你无补。 你要知道，“一个绝缘支架与一个金属体连接在一起”产生的电容，与原先的金属体本身的电容，是串连在一起的。两个电容串联在一起，总电容更小（两电容串联，总电容小于任何一个电容；两电容并联，总电容大于任何一个电容）。所以，如果你真的要计算，就对我更有利了。 |
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季先生：我的意思是说，用金属介电系数，使得静电能可以更大，你说不能用金属介电系数，只能用真空介电系数，那么静电能对于6MeV和1.6MeV而言，也占四分之一和大部分，老问题还是存在，你又作什么解释呢？
另外，郭硕鸿的电动力学书的56，57页上结果，其实是分布在真空中的电场能之和。而我们这里还要关心金属表面层上的同种电荷之间的静电能。 打一个比方：平行板电容器，一板带正电，一板带负电，那么两块板之间的静电能就是用电容器计算的那个静电能（两块板间分布在真空中的电场能之和），为正，但负电荷平板处于由正电荷平板提供的电势中，这种电势能是负的。但在季灏的金属铅台电容器中，这两个能都是正的。 |
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请核实，你的热电偶温度仪的使用范围被超出了，所以暂时失常。
此外，郭硕鸿56-57电容器公式，是理想电容器公式，即金属内部电场为零（静电平衡），金属外部为真空（或者空气），他的电容器（以及由此得到的静电能），其实是散布在真空内的电场能量密度之积分，但没有考虑金属界面上的实际情况。 |
| 合肥同步光源的电子轨道半径为2米多，束流强度为0.3安培，有可观的同步辐射。季灏的磁偏转实验轨道只有18厘米左右，是合肥的1/10（因此加速度更大），季灏的束流强度是合肥的4倍（我记得季灏的瓦里安加速器束流强度是1.26A），因此季灏的电子之间的辐射干涉也强。需要考虑辐射损耗，季先生需要检测一下辐射损失。 |
| 沈先生；我实在觉得没有什么和你说，因为你什么都不懂，又好象什么都懂。 |
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沈先生；1,几乎都是18厘米，不等于都是18厘米。季灏实验显示，电子速度的微小变化，随着电子动能变化很小，而不是相对论的动能变化很大。这和牛顿的理论有矛盾吗。2,辐射损耗应该考虑，郭的公式是对的，很多书上有，但你的公式在那本书上？请拿出来。辐射损耗不影响轨道。还有我问你4Mev的电子辐射损耗后怎么从11cm变化到18cm?3,热电偶温度计你可以测量你的温度是否正常。你再这样坚持自己的错误，只能说明余本鲲先生说的只能报以一声叹息！
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