|
我是该认真看看书才是。
看来是他们把[切向速度]v也当成[径向速度]V算成电子的 [径向动质量]了，其实电子的[径向速度]V=0， 所以[径向动质量]应该=静质量， 我相信没有人能从理论上证明[径向动质量]应该用[切向速度]v来计算。 不过从“辐射阻力”看，如果“同步辐射”的半张角真是很小， 象书上说的只有0.25 mrad（毫弧），那就是说“辐射阻力”集中的 范围[开始时]是很窄的，“辐射阻力”主要来自正前方与介质粒子的碰撞， 这种碰撞就是“亚马赫锥”，介质的主要扰动区域也是一个锥体， 只是方向与“马赫锥”刚好相反，锥顶与电子直径相关， 锥张角与电子速度成正比，这倒也不难想象吧？ 如果上面的设想成立，那电子如果有任何径向偏移， 都会引起[原来]半张角以外的[新]介质扰动，这会使电子偏转变得困难， 从而原来的“辐射阻力”转变成一种“偏转阻力”， 而且[新介质扰动]还会消耗更多的能量，所以“偏转阻力”也不小， 当电子速度很大时，这“偏转阻力”很可能会使电子速度有所下降。 这大概就是他们观察到的“径向动质量”影响了， 也是电子改变方向时出现的辐射（同步辐射）比原来直线运动时大许多的原因？ “偏转阻力”的问题还有请wangjqq注意， mv=qrB 中B的一部分将用以克服“偏转阻力”， 所以“径向动质量”的说法虽然荒谬，但是“偏转阻力”是有的， 而且可能还不小，所以这里的m简单的用“静质量”m0恐怕是不行的。 就是说测得的动量qrB（=mv）很大，还不能肯定v就一定能超光速。 我还是寄希望于“领跑电子”后面的“电子大雁”能有一线希望， 你的初衷也是为了减少“同步辐射”或“同步阻力”的影响， 而“电子大雁”有这种可能， 从电子脉冲束会集聚成“电子团”来看也是如此， 因为后面的电子阻力较小，一定要追上前面的电子，从而积聚成团， 而[直流电子束]会不断有[新电子]发出，成为“电子大雁”， [脉冲束流]的间断则会破坏这种“大雁效应”。 值得注意的是，[直流电子束]仍然存在“后来居上”的电子， 使得电子束的直径逐渐增加，看上去象是电子束的“散射”效应， 但其中可能包含了“后来居上”的电子， 所以按说在电子射出不远的地方应该速度最快， 总之应该有一个电子速度最快的[区段]， 就看你的测速方法是否真的有效了。 就算不能手到擒来，遇到的问题也会很有意义，探讨解决的过程往往才是 有所发现的途径，看你的思谋和运气吧？ |